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　　　　　　　　　　　　　　　　　　　清洗磷源片

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　源的准备：清洗

生产半导体器材需要硅片，舟，桨，扩散炉等等但是在使用之前要小心清洗这些所有的东西。通常，这些材料的清洗已经有一套标准程序。但是，一旦发现清洗程序会对材料产生毒副效果，就要使用替代程序。此文针对硼源片来讲解。此文给出了清洗硼源片的建议。同时也给出了替代清理程序以及可能对源产生破坏的注意程序。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　清洁程序

硼源片在装运前要清理掉产生的污染物。如果需要额外清理，下列给出的程序将腐蚀掉任何外来物质展现出最纯净的表面

　　　　　室温下15秒稀释酸中：
　　　　　TP250 4:1硝酸
　　　　　TP470 10:1氢氟酸

　　　　　a.离子水＃1中 2分钟
　　　　　b.离子水＃2中1分钟
　　　　　c.在清洁罩中干燥60分钟
　　　　　d.存储在氮气中

这个程序仅仅推荐用来对磷源片的起初清洁。在使用后，TP-470中大量的偏铝已转换为铝磷酸盐，TP250中镧五磷酸盐已被转换为偏镧。分解反应的这些产物很容易溶于酸，酸可以迅速溶解源片中的分解物。使用温度越高，源使用的时间越长，酸对源的分解就会越严重。在清洁过程完成后，用产品公告511中阐述的程序开始老化。老化循环保证磷源片以均匀速率产生P2O5，所有的水分被蒸发，任何残余切割和清洗液都会被氧化。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　结论

如果想要取得好的扩散效果，必须清除掉原片生产过程产生的杂质。除非使用恰当的清洗液，否则会严重影响到源的掺杂特性。此文提供了恰当的清洗程序。